FET DS letörés

[ide.ne.irj at freemail.hu]

Thus spake Kovács András:

> A teljesítmény mosfeteknél ez nem így van. A drain a chip alja. Csak a
> csatorna elejen a source-hoz közel van gate. Az áram átfolyik a gate

Es az a csatorna aktiv resze, amikor a FET le van zarva, ott esik
szinte az osszes feszultseg. A gate-tol tavolabb mar mindegy hogy
mit csinal a gate, az gyakorlatilag csak vezetek.

> A te elméleted szerint az Udsmax=Ugsmax. Vagy rosszul értettem valamit?

Valamit igen, mert en ilyesmit nem allitottam :)
Csak annyit, hogy pl egy 1000V-os FET-re 2000V-ot kapcsolva tuti
letorik a body dioda, de ha nem akkor megeshet hogy a gate es drain
kozott kovetkezik be atutes. Az halalos.
Ha viszont kivul van egy zener a drain is a gate kozott, ami nyitja a
FETet, akkor meg tudja magat vedeni.

> András

-- 
Valenta Ferenc <vf at elte.hu>   Visit me at http://ludens.elte.h u/~vf/
Ha Murphy torvenye tevesnek bizonyulhat, akkor fog is.