RE: FET DS letörés

[Kovács András]

A teljesítmény mosfeteknél ez nem így van. A drain a chip alja. Csak a
csatorna elejen a source-hoz közel van gate. Az áram átfolyik a gate
alatt, majd lekanyarodik a lapka alja felé. Az alsóbb rétegek úgy
viselkednek mint egy PIN dióda. Magukra veszik az egész drain-source
feszültséget, amíg a gate feszültség által a source-ból be nem kezdenek
áramlani ide a töltéshordozók. Ekkor ez a réteg jó vezetővé válik.
A te elméleted szerint az Udsmax=Ugsmax. Vagy rosszul értettem valamit?

András

> ...
> Mert a csatornat es a gate-t az oxid valasztja el. Ha a drain-t
felnyomod 
> a megengedettnel magasabb feszultsegre, akkor az oxidban akkora terero

> lesz, hogy atut, karosodik. Ugyanaz az effekt, mint ha a gate-re 
> kapcsolnal jo nagy feszkot. Nem zenerkedik, nem vedi meg magat, pukk 
> vege.


-- 
Valenta Ferenc <vf at elte.hu>   Visit me at http://ludens.elte.h u/~vf/
"Mindig jo, ha bajba jutsz, hogy ha orditsz s korbefutsz!"

-----------------------------------
 Szponzorunk: http://tonerbolt.hu/