[elektro] Fejhallható erősítő építése

[Csuvár Imre]

Hali,
szerintem az 1%-os ellenallason felesleges rugozni :)
Ha megnezzuk mondjuk a RET valasztekat,
5%-osban csak szenreteg ellenallas van es nem a tures,
hanem az anyagminoseg lehet a vizvalaszto.
A LED ele is lehet, hogy gazdasagosabb ugyanattol a gyartotol,
ugyanolyan tipusu ellenallast beszerezni,
mint esetleg mashonnan, masfelet.

A hangfrekvencias erositestechnikat/merestechnikat sokan szeretik
elbagatelizalni, miszerint ez egyszeru es minden problema mar meg van oldva.
Viszont szvsz itt nem dolgoztak ki a gyakorlat szamara is
megfelelo merestechnikat es ez lehet az oka, meghallgatasi tapasztalatbol
(es idonkent csak hitbol) eredo minosegi megiteleseknek.
A fentiek miatt viszont nem hagyhatjuk teljesen figyelmen kivul ezeket.

Kapcsolastecnikai kerdesek:

1. Visszacsatolas:
Sokan eskusznek a csak helyi, globalis negativ visszacsatolas
nelkuli erositokre, ami pl. a szkopokban is leledzik.
Eredmeny, nagyobb merheto harmonikus
torzitas, de jobb tranziens viselkedes.
Globalis vcs. eseten jobb merheto szabvanyos parameterek,
pl. harmonikus torzitas, de nem biztos h jobb meghallgatasi eredmeny.

2. Komplementer szimmetrikus eszme:
Ez teljesen egyforma eszkozoknel kizarna a paros
felharmonikusok keletkezeset, ami akar jo is lehet.
De ez csak adott munkapontban teljesen egyforma
karakterisztikaknal teljesul, ami egy gyari kapcsolas
utanepiteset sokszor megneheziti,
vagy megkozelitoleg sem ad hasonlo eredmenyt.
Foleg FET-et tartalmazo kapcsolasban,
amik jobban szornak a parameterek tekinteteben.
Sajnos a nagyobb aramu P es N bipolaris tranzisztorok
karakterisztikai sem egyformak.

3. FET vs bipolar tranyo:
A FET feszultseg-, a bipolaris tranzisztor aramvezerelt eszkoz.
Gyakoribb a feszultseg-, mint az aramvezerles az aramkorokben.
Emiatt a bip. tranyo az U/I karakterisztikai miatt
sokkal tobb es magasabb rendu felharmonikust termel, mint a FET.
Alkalmas kapcsolastechnikaval ez kompenzalhato valamelyest.

4. Parameter valtozas:
A bip. tranzisztorok aramerositese aramfuggo es nem egyforma
a P es az N tipusoknal (nesze neked komplementer szimmetrikus cucc).
Ez raadasul a kimeno jel fuggvenyeben minden pillanatban valtozik.
A nagyobb amplitudoju jel arama megvaltoztatja az aramerositest,
ami hatassal van a kisebb amplitudoju masik jelekre.
Sajnos a homerseklet is hatassal van a parameterekre.
Az alacsonyabb frekvenciaju jel valtoztathatja a chip homersekletet,
ami a magasabb frekvenciaju jelben modulaciot okozhat.

5. Kimeneti terheles hatasa:
Az atlag erositokben alkalmazott feszultsegmeghajto fokozat
nagyon gyakran aramgeneratoros munkaelenallassal rendelkezik,
a minel nagyobb nyilt hurku erosites miatt, ami kozel vegtelen belso 
ellenalllast jelent.
Ide viszont a vegfokon keresztul visszatranszformalodik a terheles 
impedanciaja,
ami befolyasolja nyilt hurku erositest. Ez allando ohmos terheles eseten
meg nem is annyira gaz, mert figyelembe lehet venni, de egy vegerosito 
eseten
a hangszoro komplex impedanciaja miatt meg fazistolast is okoz,
emiatt a negativ visszacsatolas nem biztos, hogy teljesen negativ,
a valtozo fazisszog miatt.

Na abbafejezem :)

Szoval szvsz a hangfrekis erositoknel is be kell tartani
az alapveto tervezesi szabalyokat. Es a legjobb elvi kapcsolasi
rajzon is sokat tud rontani egy rossz nyak-terv :(

Bocs, kicsit hosszu lett.

Udv:
Csuva'r Imre

From: "SZIGETI Szabolcs" <szigiszabolcs at gmail.com>


Ezekben a szuper high-end kapcsolásokban imádtam, hogy bizonyos dolgokat
fetisizálnak. Pl. az 1%-os ellenállás. A power-led előtét-ellenállása is
ilyen ebben. nyilván valami hallgatós szeánszon megállapították, hogy az 1%
ellenállás fontos a led elé, különben nem lesz elég legömbölyített a
savgerinc, vagy élénk a vonósszekció, vagy hogyan kell ezeket mondani.

Szabolcs