FET DS letörés

[ide.ne.irj at freemail.hu]

Thus spake Kovács András:

> Az benne a csel, hogy nem igy van. Ha igy lenne, pont ebbol kovetkezne
> az alabbi allitasom. Mert ha az aktiv azaz (gate alatti) reszen esik az
> egesz feszultseg, akkor az aktiv resz vegen, amelyet a gate-oxid valaszt
> el a gate-tol ott van az egesz Uds. A gate-en meg 0. Azaz Ugsmax=Udsmax.

Szerintem tovabbra sem kovetkezik belole, de mindegy :)
Nem biztos hogy egyenlo az anyagvastagsag, minoseg stb...
Bar azoknal a FETeknel amiket egyetemen tanultunk, lattunk abrat,
egyenlo. HEXFET asszem nem volt, nem emlexem.

> Ezzel egyetertek. Megneztem most adatlapokat, tenyleg megengedik a
> letoresre is az Idmax-ot. Ebbol viszont az kovetkezik, hogy biztosan

Tudsz mondani konkret tipust? Nekem eddig nem tunt fel...
En nyitoiranyban sem hasznalom azt a diodat, mert lassu, nem nagyon
szoktam foglalkozni vele.

> elobb torik le a body dioda mint, hogy atutne a gate oxid. Ilyen esetben
> tehat (a fet megvedese celjabol) nincs szukseg a kulso zenerre.

Valamiert csak be szoktak rakni. Vagy megsem jo ha letorik a dioda,
vagy mindenki tevedesben van aki be szokta tervezni azt a diodat.
Igaz, eleg ritkan latni.
En talaltam harmadik megoldast :)

> András

-- 
Valenta Ferenc <vf at elte.hu>   Visit me at http://ludens.elte.h u/~vf/
"Egyetlen teny romba donthet egy faradsagosan felepitett ervrendszert"