RE: FET DS letörés

[Kovács András]

Szerintem sincs kulon betervezett dioda. A gate-hez pedig biztos nincs.
A gate csak egy fem, amelyet a gate-oxid valaszt el mindentol. Ez
annyira szigetel, hogy ha a gate-hez csak egy pillanatra hozzaerinted a
12V-ot, meg akar percekig is bekapcsolva marad a FET. Akkor is ha kozben
folyik at rajta a 10A. Ugy gondolom, barmilyen dioda szivargasi arama
kisutne a gate-et ennyi ido alatt, bar szamitast nem vegeztem meg
ezugyben.
A gate szerintem sem vesz reszt a letores folyamataban. Foleg, ha
tenyleg igaz amit HJozsi irt:

> ... Az van - az adatlapok szerint is -, hogy a teljes nevleges 
> arammal is megterhelheto ez a zener, csak jo rovid ideig. ...

Ez ugye arra is utal, hogy biztos nem a gate atutese okozza, mert az
maradando karosodas lenne.

Andras

-----Original Message-----
From: elektro-bounces at tesla.hu [mailto:elektro-bounces at tesla.hu] On
Behalf Of Palasik Sandor
Sent: Thursday, September 30, 2004 1:21 PM
To: elektro at tesla.hu
Subject: Re: FET DS letörés


> Epp ez az, hogy a drain nem megy a megengedett fole, mert valamilyen
zeneres
> ize megfogja.

http://ece-www.colorado.edu/~bart/ecen5355/newbook/chapter7/issues.htm#a
valanche

Az előző linken a következőt lehet olvasni:

"As the electric field in the channel is increased, avalanche breakdown
occurs in the channel at the drain. This avalanche breakdown increases
the current as in a p-n diode (see section 4.5.3 and 2.8). In addition,
there is parasitic bipolar action taking place. Holes generated by the
avalanche breakdown move from drain to source underneath the inversion
layer. This hole current forward biases the source-bulk p-n diode so
that now also electrons are injected as minority carriers into the
p-type substrate underneath the inversion layer. These electrons arrive
at the drain and again create more electron-hole pairs through avalanche
multiplication. The positive feedback between the avalanche breakdown
and the parasitic bipolar action results in breakdown at lower drain
voltage. "

Nekem ebből úgy tűnik, hogy az a zéner pont úgy a MOS struktúrájából
adódik, mint a reverz dióda, nem pedig valami külön beépített csoda.
Ettől még lehet, hogy úgy a legegyszerűbb modellezni, hogy egy zenert
kötnek a D és G közé.

Palasik Sándor

-----------------------------------
 Szponzorunk: http://tonerbolt.hu/