Re: FET DS letörés

[Palasik Sandor]

> Epp ez az, hogy a drain nem megy a megengedett fole, mert valamilyen
zeneres
> ize megfogja.

http://ece-www.colorado.edu/~bart/ecen5355/newbook/chapter7/issues.htm#avalanche

Az előző linken a következőt lehet olvasni:

"As the electric field in the channel is increased, avalanche breakdown
occurs in the channel at the drain. This avalanche breakdown increases the
current as in a p-n diode (see section 4.5.3 and 2.8). In addition, there is
parasitic bipolar action taking place. Holes generated by the avalanche
breakdown move from drain to source underneath the inversion layer. This
hole current forward biases the source-bulk p-n diode so that now also
electrons are injected as minority carriers into the p-type substrate
underneath the inversion layer. These electrons arrive at the drain and
again create more electron-hole pairs through avalanche multiplication. The
positive feedback between the avalanche breakdown and the parasitic bipolar
action results in breakdown at lower drain voltage. "

Nekem ebből úgy tűnik, hogy az a zéner pont úgy a MOS struktúrájából adódik,
mint a reverz dióda, nem pedig valami külön beépített csoda. Ettől még
lehet, hogy úgy a legegyszerűbb modellezni, hogy egy zenert kötnek a D és G
közé.

Palasik Sándor