[elektro] JFET mint dióda

[Balla Zoltán]

Feladó: "Palasik Sandor" <palasik at mail.datanet.hu>
>És ebből hogy is következik a félvezető chip geometriai és szennyezési
>aszimetriája? A Philips pl. ezt írja a BF245-ről: "General purpose N-channel
>symmetrical junction field-effect transistors".
>
Ebből sehogy, mint ahogy csak a paraméter-seregből kiindulva próbáltam rávilágítani arra a "tényre", 
hogy ha egyszerre valtozik a gate fesz a source-höz és a Drain-hez képest is, úgy nehéz lenne 
megmagyarázni az ábrákat. Nyilván nem értelmeztem helyesen a fet belső működését.... :-)

>Szerintem bekötéskor az elég lényeges különbség, hogy melyik elektróda a
>pozitívabb. A GD feszültség nagyobb, mint a GS, ez simán elég lehet a
>működésbeli aszimetria megmagyarázásához.
>
Igen, tulajdonképpen ez a magyarázat....a két kivezetés közül mindig csak a kisebb, vagy nagyobb 
potenciállal rendelkezőhöz kell viszonyítani(polaritástól és strukturától függően), ilyenkor a másik 
"nem" játszik szerepet...

>Egyébként bizonyos drain fesz alatt a drain áram veszettül függ a
>drainfesztől.
>
Hát persze..., de mi ebben a meglepő ?? A telítődés alatt mindegyik így működik, még a bipoláris 
is.... :-))

Zoli