NPN darlington

[jhidvegi]

Moczik Gabor wrote:

> Jo lenne, de ennek is sok az Ucesat.

Viszont szigetelt, így tudod hűteni, ha csak ez a feladat gond.

> Nem akartam meg 500+ Ft-ert FET meghajtot is betenni, de majd
> korulnezek a Logic Level fetek korul, aztan lehet hogy nem lesz
> meghajto...

Majdnem biztos, hogy lesz ilyen. Különben néztem, hogy amit használtam, 
600V-os 47A-es fet, az is már csaknem tök kinyitott 4,5 V környékén. Tehát, 
ha egy nagyobb áramú TO220-as tokút megnézel, valami olcsóbb, járatosabb 
tipust, az is tök jó lehet már 3A-nél 5V-ról direktben meghajtva.

> Hogy lehet kiszamolni, hogy kapcsolo uzemben mennyire fog melegedni,
> ha adottak: Ig   gate tolto/kisuto aram
> Id   drain aram
> f    freki
> Cgs  kapacitas

A gate-veszteség úgy számolható, hogy adott fesznél leírják a gate töltését. 
Ebből egy energia jön ki, C=Q/U, E=0,5*C*U^2. Ha ellenálláson keresztül van 
töltve (márpedig úgy van), akkor pont ennyi energia disszipálódik az 
ellenálláson minden feltöltésnél, és minden kisütésnél is. Függetlenül az 
ellenállás értékétől. Innen tehát a freki ismeretében kijön a veszteségi 
teljesítmény, ami a gate-kört illeti.

A másik, a drainkör két összetevőből áll, a vezetési veszteség ugye 
egyszerű, i^2*Rds-on*kitöltési tényező. A kapcsolási veszteség már nem olyan 
egyszerű. Ezen tudsz sokat fogni úgy, hogy nagyon gyorsan, agresszíven 
kapcsoltatod a fetet.
Hogy ez mennyi, az áramkörtől is függ. Pl rezonáns módú kapcsolásoknál ez el 
is tűnik. Viszont, ha egy szar diódát kell neki kirántania a vezetésből, 
bődületesre nőhet, ez lehet a fő veszteségi forrás. A kettő között sokminden 
állapot  hozható létre.

hjozsi

>
> Nem tunik olyan egyszerunek, kene hozza a transzfer karakterisztika
> is. Bar mintha lenne arra is valami negyzetes keplet, csak mar
> elfelejtettem :-)