Re: FET DS letörés

[Sass Péter]

 <ide.ne.irj at freemail.hu> 2004.09.30. 21:44:41 +2h-kor írta:

> Thus spake Sass Péter:
> 
> > A FET-tel sorba szoktak kötni egy nyitóirányú diódát (akár schottky-t),
> > és ezzel az egésszel párhuzamosan a külső gyors diófát. Másként 
> > nincs értelme. Legfeljebb schottky-val, de az meg csak kis feszen 
> > hatékony. Ott meg a FET diódája is gyors, akkor meg minek? 
> 
> Azert, mert a parazita dioda eledesi ideje attol fugg, hogy mennyi aram
> megy at rajta. Ha a kulso dioda kisontoli, es 20A helyett csak 1A megy
> at rajta, 

De miért menne ilyen kevés? Én is keresgéltem megfelelő diódát ide, 
de nem találtam! Mindig a belső dióda nyitófesze volt kisebb, még 
azonos hőmérsékleten is, de a FET általában még melegebb is! 

Pl.: IRF640 10 A-nél 0,7 V. Itt a BYW-29 elvezet 600 mA-t. 

Jó, lehet hogy létezik olyan párosítás, ahol legalább hasonló áramot 
vezet el a dióda, de hogy a parazita dióda áramának 20-szorosát? Ha 
mégis, akkor konkrét példát kérek! (Vedd azt is figyelembe, hogy pl. 
600 V-os MOSFET-et nem illik 100 V-os diódával párosítani!)

Üdv.:
-- 
Sass Péter
Távközlés technikus és tranzisztor-gyógyász