Re: FET DS letörés

[Fuzesi Arnold]

GateOxid, akkor serul (üt át)szerintem, ha a VGS fesz nagyobb mint az
adatlapban megadott max.
Itt meg a DS letörésről van szó!!!!!
Ami lehet hogy inkabb a reverze dioda letörési feszültsége.

Feltetelezes:
Az a zener GD kozott pedig gyartmanyfuggo plussz alkatresz.
FET-je valogatja van-e vagy nincs.
Ezt kene kideriteni...
Ha van, es limitalva van a GATE aram, akkor gyakorlatilag tönkretehetetlen a
fet feszültséggel.
Nagy Drain fesz eseten a Gate-et arra kenyszeriti a zener, hogy kinyissa a
FET-et, ezaltal visszacsokken a drain a zener+UGS altal megadott ertekre.

Arnold
----- Original Message ----- 
From: "Kovács András" <andras at sdktech.com>
To: <elektro at tesla.hu>
Sent: Thursday, September 30, 2004 1:45 AM
Subject: RE: FET DS letörés


Szia VF!

Mar ugy erted, hogy nem felesleges a diodazas, mert a tobbiek altal
emlitett esetben fennall a gate oxid serulese?
De miert kellene akarmelyik esetben is a gate oxidnak serulnie?

András

>> konyvtaraban megvan), hogy a legegyszerubb es leghatekonyabb vedelem
a
>> tulfeszultseg ellen a drain es gate koze kotott zener (sorban egy
>> normal diodaval persze)??? Ha igaz amit irtok, teljesen felesleges ez

>> a diodazas.

> Szerintem nem, mert ha a gate oxid serul, akkor sanyi.
> Ezt a zeneres dolgot nem ertem, tudomasom szerint a gate serules
irreverzibilis, azonnal kuka.



-----------------------------------
 Szponzorunk: http://tonerbolt.hu/