Schottky vs Ultrafast
Csuvár Imre
icsuvar at axelero.hu
Sun Oct 24 22:00:48 CEST 2004
Hali,
emlekeim szerint a Schottkyban nincs kiuritett reteg, elmeletileg nincs
kapcsolasi ideje, kapacitasat a fizikai konstrukcio hatarozza meg.
Emiatt gyorsabb lehet, mint akarmilyen Si dioda.
Nagy hatrany az alacsony zarofesz, max. 100V, de ezeknel mar erdemes
megnezni a nyitofeszt, van olyan, hogy belul lenyegeben ket soros dioda van,
ezt onnan lehet felismerni, hogy a nyitoiranyu feszultsegesesuk magasabb,
mint a normal Schottkynak.
Tehat kb. 50V-ig egyertelmuen jobb, mint a sima gyors szilicium. Nagyobb
feszekre, kisebb aramokra leteznek meg ionimplantalt diodak, ezek rendkivul
gyorsak, olcsoak es beszerezhetoek (pl. BYV sorozat 26,27,28).
Udv:
Csuva'r Imre
----- Original Message -----
From: "Fuzesi Arnold" <arno at externet.hu>
To: <elektro at tesla.hu>
Sent: Sunday, October 24, 2004 8:07 PM
Subject: Schottky vs Ultrafast
> Ultrafast miben kulonbozik a Schottky-tol?
> Nyitofesztben azt tudom.
> A recovery time-ban?
> Schottky adatlapokban nem buszkelkednek a nyitoidovel.
> Magyarul nem nagyon talalom...
> Ennyire jo, ennyire rossz, vagy ennyire allando es tudnom kellene.
> Tudtommal eleg jo, de mennyi az annyi?
>
> Arnold
>
> -----------------------------------
> Szponzorunk: http://tonerbolt.hu/
>
More information about the Elektro
mailing list